Al solito non potevano mancare i soliti opinionisti.. "della domenica" Queste le "illazioni" invece suffragate da fatti concreti e accertati...no secretati
Primo. Le fonti. Corso avrebbe ottenuto le informazioni sulla genesi del transistor da Hermann Oberth, Wenher von Braun e gli altri «scienziati aerospaziali tedeschi che, allora, lavoravano ad Alamogordo ed a White Sands» (p.105). Curioso. Sembra che all’epoca né Oberth né von Braun lavorassero in New Mexico. Von Braun lavorava ad Huntsville, in Alabama, in qualità di direttore del Marshall Space Flight Center della NASA, mentre Oberth aveva addirittura fatto ritorno in Germania (Klass, 1998).
Secondo. Il tatto. Corso afferma di aver toccato le schede di silicio recuperate sul disco di Roswell, e che tali schede sarebbero state utilizzate dagli scienziati dei Bell Laboratories nella realizzazione del primo transistor...transistor che però era costruito in un diverso materiale semiconduttore: il germanio! (Bardeen-Brattain, 1949)
Terzo. Il primo transistor. Gli autori dell’invenzione furono un fisico teorico, John Bardeen, e un fisico sperimentale, Walter Brattain. Nell’ambito di ricerche sulla superficie dei semiconduttori, Bardeen e Brattain scoprirono, mediante due elettrodi a filo finemente spaziati, che una piccola carica positiva situata su un elettrodo iniettava lacune (zone di assenza di carica negativa) nella superficie del semiconduttore accrescendone enormemente le sue proprietà conduttive.
Questo risultato suggerì a Bardeen l’idea di realizzare un amplificatore collegando due elettrodi a filo, poco spaziati tra loro, su un cristallo di germanio (la teoria di Bardeen sugli stati di superficie, che stimolò i successivi esperimenti ai Bell Laboratories risale al febbraio del 1947. Cfr. Bardeen, 1947). Brattain sperimentò il suggerimento, e nel giro di poco tempo creò il primo transistor point contact, che venne dimostrato per la prima volta il 23 dicembre 1947. (Brattain, 1968) Sebbene il primo transistor point contact fosse stato inventato da Bardeen e Brattain, tutte le fotografie sugli inventori del transistor includono anche William Shockley, il leader del gruppo di ricerca; quest’ultimo però, non soddisfatto dell’indirizzo che avevano preso gli studi sul transistor, seguiva un diverso programma di ricerca. Il risultato fu che Bardeen e Brattain non ebbero alcuna difficoltà a ottenere il brevetto del loro transistor nel 1948. Shockley, d’altro canto, non riuscì ad ottenere un brevetto primario sul suo principio dell’effetto di campo a causa del lavoro svolto nel periodo pre-bellico da Pohl e Lilienfeld (cfr. intervista a Brattain, citata su Braun-MacDonald, 1978). Ed è a Shockley che Corso fa riferimento Dunque, secondo Corso, il crash di Roswell consentì a Shockley di inventare il primo transistor, un transistor a giunzione, in silicio. Al di là delle imprecisioni che abbiamo evidenziato, caratteristiche di chi abbia letto un po’ di fretta una qualche rivista di divulgazione scientifica (il transistor fu inventato nel 1947, e non nel 1948, da Bardeen e Brattain, e non da Shockley), rimane un fatto sconcertante. Ammettiamo pure che a Roswell siano state rinvenute schede di silicio funzionanti secondo il principio del transistor a giunzione (la giunzione p-n sommariamente descritta da Corso): come si spiega che gli scienziati della Bell, ricevute schede di Roswell, realizzarono un transistor costruito in un materiale diverso, e funzionante secondo un diverso principio fisico? Il transistor inventato in quella lontana antivigilia di Natale non aveva nulla a che vedere coi transistor a giunzione che conosciamo oggi (o, meglio, ieri).
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